存储芯片领域 中国迎来打破美日韩垄断关键一战

紫光团体旗下长江存储克日宣布,已最先量产基于自主研发Xtacking架构的64层三维闪存(3DNAND),容量为256Gb,以知足固态硬盘(SSD)嵌入式存储等主流市场应用的需求,这也是中国首款64层三维闪存芯片,将使中国与天下一线三维闪存企业的手艺差距缩短到两年以内,被视为中国打破美日韩垄断要害一战。

据媒体报道,长江存储官网新闻,上海中国国际半导体展览会举行前夕,公司宣布已最先量产基于XtackingR架构的64层“三阶储存单元”3DNAND闪存。作为中国首款64层3DNAND闪存,该产物将亮相展览会紫光团体展台。

所谓3DNAND是通过将原本平铺的储存单元堆叠起来,形成多层结构提供容量,使原本只有1层的储存单元堆叠成64层或更多层。

缩短产物上市周期

报道指出,长江存储64层三维闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产物,拥有同代产物中最高存储密度。创新的Xtacking手艺只需一个处置步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合,相比传统三维闪存架构可带来更快的传输速率、更高的存储密度和更短的产物上市周期。

长江存储相关负责人向媒体示意,长江存储64层三维闪存产物的量产,将使中国与天下一线三维闪存企业的手艺差距缩短到两年以内。

紫光团体联席总裁刁石京示意,长江存储进入到这个领域之前,海内一直没有大规模存储芯片的生产,未来,随着云盘算、大数据的生长,人类对数据存储要求是越来越高,三维闪存存储芯片是高端芯片一个主要领域,它的量产也标志着中国离国际先进水平又大大跨近一步,把中国产物水平跟外洋的先进水平缩短到了一代。

明年底月产六万片晶圆

报道称,存储芯片竞争猛烈,三星、海力士、东芝、西部数据、美光、英特尔等巨头在产能上连续投入。2018年,64层、72层的3DNAND闪存就已经是主力产物,2019年最先量产92层、96层的产物,到2020年,大厂们即将进入128层3DNAND闪存的量产。

业界有关人士剖析,长江储存生长迅速,但现在亮相守旧,其虽然未宣布量产规模,预计2020年底其可望将产能提升至月产6万片晶圆的水平。

据报道,长江存储64层三维闪存产物的量产有望使中国存储芯片自产率从8%提升至40%。在美日韩大厂垄断下,长江存储的64层3DNAND闪存量产新闻别具意义。

业界展望,长江存储最快明年跳过96层直接进入128层三维闪存,实现弯道超车。据悉,长江存储已推出Xtacking2.0计划,借以提升NAND吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开启定制化NAND全新商业模式等,相关产物将被普遍应用于数据中心,企业级服务器、个人电脑和移动装备等领域。

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